Trên sàn sản xuất, quá trình nung photoresist không chỉ liên quan đến nhiệt độ đỉnh. Quan trọng là tính đồng đều nhiệt trên toàn bộ wafer. Một sai lệch 0,5°C có thể làm thay đổi độ lệch CD và ảnh hưởng đến tỷ lệ thành phẩm ngoài tiêu chuẩn. Chúng tôi thiết kế đèn gia nhiệt nước siêu tinh khiết nhằm duy trì ổn định hồ sơ nhiệt tại vị trí quan trọng — trên lớp resist, phủ toàn bộ bề mặt, qua từng chu trình.
Về mặt kỹ thuật, điều quan trọng là kiểm soát. Chúng tôi sử dụng bóng halogen sóng ngắn trong vỏ thạch anh, kết hợp với cấu trúc khối lượng nhiệt thấp. Điều này cho phép gia nhiệt nhanh, có hướng và phản hồi dưới một giây. Kết quả đạt được là độ đồng đều ở mức wafer trong ±0,1°C và độ lặp lại giữa các chu trình trong phạm vi 0,05°C.
Đầu đèn đạt chuẩn sạch phòng sạch Class 1–100. Đường dẫn chất lỏng được bịt kín và vận hành mà không phát sinh bụi, ngay cả khi chạy liên tục. Công suất ra được điều khiển theo vòng kín và hiệu chuẩn, bù trừ biến động điện áp đường dây và nhiệt độ nước cấp. Điều này bảo toàn ngân sách nhiệt cho cả quá trình soft bake và hard bake.
Trong lithography, quá trình nung đồng nhất là yếu tố then chốt kiểm soát chiều rộng nét và hình dáng thành bên. Đèn này cố định đường cong nung, giảm độ phân tán CD, đồng thời giảm hiện tượng footing và scum sau khi phát triển. Cửa sổ quy trình mở rộng, giảm công việc sửa lại, và không phải điều chỉnh công thức mỗi ca làm việc.
Tiêu thụ năng lượng cũng giảm. Phản ứng nhiệt nhanh loại bỏ hiện tượng vượt nhiệt và ngâm nhiệt khi không hoạt động, giúp tiết kiệm điện năng chờ mà không ảnh hưởng đến năng suất. Với MTBF trên 5.000 giờ và sai số công suất dưới 5% trong suốt thời gian bảo trì, thời gian dừng máy không kế hoạch giảm và lịch trình sản xuất giữ được tính ổn định.
Đèn phù hợp lắp vào các đường ray nung chuẩn, nhưng khối nước và vỏ thạch anh mang theo khối lượng nhiệt, do đó cần chú ý dung sai khi lắp đặt. Rung động vi mô có thể ảnh hưởng đến căn chỉnh nếu không thiết lập đúng.
Chất lượng nước là yếu tố bắt buộc. Đảm bảo điện trở của nước siêu tinh khiết trên 18 MΩ·cm và bụi hạt nhỏ hơn 0,1 μm. Nếu không, sẽ xuất hiện màng phim và điểm nóng.
Sau khi lắp đặt, thực hiện ngâm nhiệt ngắn để hệ thống ổn định, sau đó xác thực lại bản đồ đồng đều nhiệt trước khi đưa vào sản xuất trở lại.